特性
l 最大500V 工作电压
l 低静态电流
l 不需要电感元器件
l 可编程LED电流
l 支持线性调光
l 可控硅调光兼容性好
l 过温保护功能
l ESOP8封装形式
基本应用
l LED照明 吊扇灯、吸顶灯
l LED照明 筒灯、面板灯
基本概述
ORG6612是采用内置500V高压设计的LED驱动芯片，能够驱动多个串联的 LED灯珠。同时具有内部电源控制开关，从而最大限度的减少外部元器件。
ORG6612能够产生恒定电流，可通过改变SET及GND管脚之间的电阻值来 设置电流的大小。在实际运用中单颗芯片可支持25W以下5W以上各类灯具照明，适用于 110V/120V及220V/230V等各种电压。ORG6612支持可控硅调光及线性调光，实测中具有很好可控硅调光的兼容性。芯片内建过温保护功能。
ORG6612采用ESOP8封装形式，适用于E14，E17，E27等LED照明。
l LED照明 球泡灯等
应用电路
管脚图
管脚定义
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序号
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名称
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描述
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1
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VCC
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内部电压源
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2
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GND
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电源地
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3
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SET
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电流设置
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4
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GATE
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外部NMOS管控制端
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5
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DIM
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调光输入
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6
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NC
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无连接
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7
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CS
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补偿管脚
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8
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VTH
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高压输入
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绝对最大额定值
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参数
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符号
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额定值
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单位
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VTH, CS引脚电压
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--
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500
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V
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VCC,GATE引脚电压
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--
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36
|
V
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SET,DIM引脚电压
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--
|
7
|
V
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结点温度
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TJ
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+150
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°C
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ESOP-8热阻
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θJA
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130
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°C/W
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ESOP-8功率消耗
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PD
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630
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mW
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工作环境温度
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TOPR
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-40~+85
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°C
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工作环境关断温度
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Toff
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150
|
°C
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存储温度
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TSTG
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-55~+150
|
°C
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焊接温度（焊锡，10秒）
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--
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+260
|
°C
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注释：
*功率耗散值是基于条件：结点温度TJ 和工作环境温度TA 之差为100℃。
*数值大于列表中的绝对最大额定值的信号可能会造成设备的永久性损坏。这些仅仅是额定值，设备的操作功能在这些或超出这些的条件下的情况是不推荐的，长时间处于绝对最大额定值条件参数下可能会影响器件的可靠性。
*超过最大额定值会造成器件损坏。最大额定值仅仅是一个数值。不推荐让器件工作于这种情况。长期工作于这种情况会影响器件的可靠性。
电气特性（除非另有规定，VTH=30V,Cvcc=1uF,TA=25℃）
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符号
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参数
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测试条件
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最小值
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典型值
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最大值
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单位
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VTH
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高压输入
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VTH上升
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25
|
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500
|
V
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|
VCC
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内部电压
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VTH上升时量程VCC
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|
11
|
|
V
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|
Iq
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工作电流
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|
|
500
|
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uA
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|
Vset
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电流设置电压
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VDIM>1.5V
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735
|
750
|
765
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mV
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TTST
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热关断温度
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|
|
155
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℃
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TTSH
|
热关断迟滞
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|
|
45
|
|
℃
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功能描述
设置线性调光控制电阻
电流设置电压（VSET)受控于 DIM 管脚。
当 VDIM≥1.5V,Vset=0.75V;
VDIM<1.5V,Vset=VDIM/2
通过选择合适的电阻 R4，R5 及 C2，VDIM 被转换为近似直流数值。R4及R5 的计算公式如下：
R4=(Vac*0.53-1）*R5 (Vac：交流输入电压。如 110Vac，220Vac）
C2 电容值推荐范围：4.7uF~10uF/16V。
R5 电阻值推荐范围：15kΩ~82kΩ。
输出电流设置
输出电流的数值取决于电阻 R6，R6 阻值由下边公式预估后再进行微调。
VPEAK ：交流输入的峰值直流电压。VPEAK=Vac*1.414
例如：典型值 220Vac,VPEAK=220*1.414=311(V)
R6 可通过 Iout 计算。
LED 电压推荐数值
110/120Vac 的推荐电压数值为 120V~140V。
220/230Vac 的推荐电压数值为 250V~280V。
NMOS 管及输出电容的选择
外接 NMOS 管会产生大量的热，随输入功率的增加而继续发热。 故需要选择合适的封装形式来解决散热。建议 TO-252 或 TO-220 封装。
输出电容有助于提升可控硅的调光特性， 并减少输出电流纹波。 110/120Vac应用系统建议使用 22uF~68uF/250V。220/230Vac 应用系统建议使用10uF~22uF/400V。
输入滤波器的选择
电阻 RX1，R1 及电容 CX1 帮助改善可控硅调光特性。上述 3 个器件的数值需要修改来匹配调光器。典型值如下：
RX1：24Ω/2W 对于 10W 以上的应用。68Ω/2W 对于 10W 以下的应用。
R1：500Ω~1KΩ/SMD/2010/400V
CX1：0.22uF/MTF 或 MEF。
封装描述
8 引脚 ESOP 封装（单位 mm）
附件：回流焊温度要求
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